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雪崩能量测试仪参数及报价价格

该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行最终的编辑和打印。



半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。

该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行最终的编辑和打印。


HUSTEC2020 雪崩耐量测试系统


功能指标:

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压
1000V

IGBTs
绝缘栅双极型晶体管

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V

电流
200A

MOSFETs
MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA


DIODEs
二极管

IAS/单脉冲雪崩电流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J



PAS/单脉冲雪崩功率

IC检测

50mV/A(取决于传感器)




感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、




重复间隙时间

1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次

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