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华科智源

SIC碳化硅器件动态参数测试台

深圳市华科智源科技河北快3专业提供SIC器件参数测试议,包括动态参数测试仪,静态参数测试仪,雪崩能量测试仪,SIC反向恢复时间TRR测试,SIC开关时间测试等;



SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。

接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。 华科智源-SIC器件的简介,优点及SIC器件测试仪请点击这里。
功能及主要参数:
  适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
  主要技术参数:
  IGBT开关特性测试
  开关时间测试条件
  Ic:50A~1000A     Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V  Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)
  负  载:感性负载阻性负载可切换
  电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
  电阻范围:0.5R、1R、2R、4R
  IGBT开关特性测试参数
  开通延迟td(on): 20nS -10uS     
  上升时间tr:    20nS -10uS
  开通能量Eon:  0.1-1000mJ                
  关断延迟时间td(off):20 nS -10uS  
  下降时间 tf: 20nS -10uS                   
  关断能量Eoff:0.1-1000mJ
  二极管反向恢复特性测试
  FRD测试条件:正向电流IF:50A~1000A;反向电压 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;负载:感性负载可选
  电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
  FRD测试参数
  反向恢复时间trr:20nS -2uS
  反向恢复电荷Qc:10nC~10uC;
  反向恢复电流Irm:50A~1000A
  反向恢复损耗Erec:0.1mJ~1000mJ
产品优势
  国内唯一能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备
典型用户 55所

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